Os m\u00f3dulos IGBT s\u00e3o componentes electr\u00f3nicos de baixa frequ\u00eancia e alta pot\u00eancia constitu\u00eddos por chips IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) e chips FWD (Freewheeling Diode) encapsulados atrav\u00e9s de pontes de circuito espec\u00edficas. Os m\u00f3dulos IGBT encapsulados s\u00e3o amplamente utilizados em m\u00e1quinas de soldar, inversores, rectificadores, fontes de alimenta\u00e7\u00e3o para galvanoplastia, aquecimento por indu\u00e7\u00e3o ultra-s\u00f3nica, fontes de alimenta\u00e7\u00e3o ininterrupta USB e outros dom\u00ednios.<\/p>\n\n\n\n
Os m\u00f3dulos IGBT caracterizam-se pela poupan\u00e7a de energia e estabilidade, servindo como dispositivos centrais para a convers\u00e3o e transmiss\u00e3o de energia. Por isso, s\u00e3o frequentemente referidos como a \"CPU\" dos dispositivos electr\u00f3nicos no mercado. Particularmente com o conceito de prote\u00e7\u00e3o ambiental prevalecente e a disposi\u00e7\u00e3o estrat\u00e9gica das ind\u00fastrias emergentes por parte das na\u00e7\u00f5es, como o transporte ferrovi\u00e1rio, redes inteligentes, aeroespacial e novas energias, os m\u00f3dulos IGBT est\u00e3o a ganhar cada vez mais reconhecimento no mercado.<\/p>\n\n\n\n
Garantir a dete\u00e7\u00e3o dos m\u00f3dulos IGBT durante o processo de encapsulamento, encapsular os m\u00f3dulos IGBT defeituosos nos processos subsequentes, reduzir os custos de produ\u00e7\u00e3o, melhorar a qualidade dos produtos e evitar a utiliza\u00e7\u00e3o de m\u00f3dulos IGBT defeituosos que podem levar a perdas significativas tornaram-se quest\u00f5es prementes na ind\u00fastria.<\/p>\n\n\n\n